2018年5月13日 - 5月18日，专用集成电路技术研究所、东南大学国家ASIC工程中心孙伟锋教授团队一行8人，赴美国芝加哥参加第30届国际功率半导体器件与集成电路年会（International symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，简称ISPSD）。该会议是由IEEE Electron Devices Society (EDS)、 IEEE Power Electronics Society (PELS) 和IEE Japan (IEEJ)联合举办的功率半导体领域国际顶级学术会议，代表全球功率器件及功率集成电路的最高研究水平。

该团队今年投稿的6篇论文全部被录用，其中包含2篇口头报告（Oral）和4篇张贴报告（Poster），这是继2012、2013、2015、2016年后，团队再次以100%录用率的佳绩获得国际同行的高度认可。此次录用的6篇论文涵盖功率集成器件、智能功率集成电路及宽禁带功率器件等多项热点研究内容，其中陆扬扬博士的“A 600V High-side Gate Drive Circuit with Ultra-low Propagation Delay for Enhancement Mode GaN Devices”一文，是中国大陆地区在ISPSD 上录用的第一篇功率集成电路方向的Oral论文。

参会师生与国际同行学者进行了广泛而深入的交流，充分展示了团队的研究成果，得到与会代表的一致好评！

与会师生在ISPSD’18现场合影