（1）400mA/700mA等级单相智能高压驱动芯片
综合介绍：400mA/700mA等级单相智能高压驱动芯片是专为中小功率高压桥式开关系统而设计的集成电路，可驱动功率MOSFET和IGBT，有两路独立的驱动输出，分别驱动上下桥臂的功率管。输入信号的逻辑电平与LSTTL和标准CMOS的3.3V电平相兼容，低侧通道逻辑反相，输出驱动缓冲级具有大脉冲电流，可以抑制通道间相互的干扰。采用自主开发的高低压兼容工艺、采用高抑制能力的抗dVs/dt噪声能力提升电路、采用高低温延时匹配技术。
（2）电容负载高压电平移位技术
综合介绍：智能功率驱动芯片主要应用于电机驱动领域，由于电机为感性负载，因此芯片的耐dVS/dt噪声能力和VS负偏压能力决定着应用系统系统的可靠性。创新提出的电容负载高压电平移位技术，通过切断位移电流路径及增大电平移位输出幅值，成功应用于智能高压驱动芯片中，并将芯片耐dVS/dt能力和VS负偏压能力分别提升至85V/ns，-12V以上，达到国际领先水平。采用自主开发的高低压兼容工艺、采用抗dVS/dt噪声能力和VS负偏压能力的容性负载结构、采用能量泄放技术提升信号的传递速度。
（3）集成自举的智能高压驱动芯片
综合介绍：单相集成自举智能高压驱动芯片是专为中小功率高压桥式开关系统而设计的集成电路，可驱动功率MOSFET和IGBT，有两路独立的驱动输出，分别驱动上下桥臂的功率管，芯片内部集成了自举二极管，降低了系统复杂度，同时有效提升了系统可靠性。输入信号的逻辑电平与LSTTL和标准CMOS的3.3V电平相兼容，输出驱动缓冲级具有大脉冲电流，可以抑制通道间相互的干扰。采用自主开发的高低压兼容工艺、采用提升自举二极管集成可靠性的背栅控制电路、采用增强自举二极管电流能力的栅压提升控制技术。
